本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。
本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。
本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下变动：
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定；
———增加低温固化型浆料方阻的测定方法；
———原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”；
———测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为０ｍｍ～５ ｍｍ，精度为０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型浆料：范围为０ｍｍ～５ｍｍ，精度为０．００１ｍｍ。
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GB/T8170 数值修约规则
