本标准是对GB/T17473—1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修
订,分为7个部分,本部分为GB/T17473—2008的第4部分。本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中附着力的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料附着力的测定。本部分代替GB/T17473.4—1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测定》。
本部分与GB/T17473.4—1998相比,主要有如下变动:
———将原标准名称修改为:微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测定;
———将原标准中去除“非贵金属电子浆料附着力测定也可参照本标准执行”内容;
———增加了SnAg3.0Cu0.5焊料用于无铅导体焊接;
———用隧道烧结炉取代原标准中的带式炉;
———增加了无铅焊料的温度控制。
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
GB/T8170 数值修约规则