标准编号:	YS/T 679-2008
中文名称:	非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
英文名称:	Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage
中标分类:	H80半金属与半导体材料综合
行业分类:	有色金属行业标准(YS)
ICS分类:	29.045半导体材料
发布机构:	国家发展和改革委员会
发布日期:	2008-03-12
实施日期:	2008-09-01
标准状态:	已作废
被新标准替代:	YS/T679-2018
被替代日期:
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	16000 字
翻译价格(元):	960 元
交付时间:	付款后 1-3工作日

本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。
本标准与SEMI MF 391-1106相比主要有如下变化：
———标准格式按GB/T 1.1要求编排；
———将SEMI MF 391-1106中的部分注转换为正文；
———将SEMI MF 391-1106中部分内容进行了编排。

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
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